Description
DISCO DE ESTADO SOLIDO HIKSEMI M.2 , 512G PCIE GEN 3 X 4, NVME, VELOCIDAD DE LECTURA DE HASTA 2500 MB/S, VELOCIDAD DE ESCRITURA DE 1025 MB.
Especificación
Tamaño del producto
M.2 2280
Capacidad
256 GB | 512GB | 1024GB | 2048 GB
máx. Sec. Lectura (MB/S)
3230 MB/s | 3500 MB/s | 3520 MB/s | 3445 MB/s
máx. Sec. Escritura (MB/S)
1240 MB/seg | 1800 MB/seg | 2900 MB/s | 3120 MB/s
máx. Corrió. IOPS de lectura 4K
195K | 200K | 195K | 445K
máx. Corrió. IOPS de escritura 4K
210K | 155K | 150K | 315K
máx. El consumo de energía
1,6 W | 3,0 W | 4,5 W | 5.9W
TBW
112 TB | 224 TB | 448 TB | 896TB
Medio de almacenamiento
TLC 3D
Interfaz
PCIe
MTBF
1.500.000 horas
Temperatura de operacion
0-70 ℃
Temperatura de almacenamiento
-40 °C a 85 °C
Peso
≤7g
